ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > BSD235N L6327
Datasheet下载- 型号： BSD235N L6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSD235N L6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSD235N L6327价格参考。InfineonBSD235N L6327封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 950mA 500mW 表面贴装 PG-SOT363-6。您可以下载BSD235N L6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSD235N L6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSD235N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BSD235N L6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1.6µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 63pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.32nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 其它名称 | BSD235N L6327INDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 950mA |
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